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PIXIS-XO X-Ray相机系列

PIXIS-XO是一款具备高灵敏度,能够对非常低能量的X射线 (<30keV) 直接成像的CCD。可旋转的密闭真空法兰设计提供超高真空硬金属密封件,便于相机与真空靶室的密接。可支持软件编程,高容量或者高灵敏度双模式可选,同时该系统提供了X射线单光子计数功能,高达16位的动态范围。该系统提供热电制冷,支持免维护操作,其中可以提供低振动的水冷功能。



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 直接软X射线成像 (<30eV to ~ 10 keV)

 抗反射镀膜背照式CCD芯片

 多种像素可选的CCD摄像头,提供27.6×27.6mm成像区域

 X射线光子计数功能

 高真空 open nose 接口

 高灵敏度,高动态范围

 可旋转的密闭法兰,高真空密封的TE制冷相机

 USB接口,可选光纤延长器便于进行远程操作



>>点此下载产品手册:

                    PIXIS XO 100B       PIXIS_XO_100B_rev_N2.1_5.24.2012 (1).pdf

                    PIXIS XO 400B       PIXIS_XO_400B_rev_N2_9.6.2012 (1).pdf

                    PIXIS XO 1024B     PIXIS_XO_1024B_rev_N1.1_2.4.11 (1).pdf

                    PIXIS XO 2048B     PIXIS_XO_2048B_Rev_N1.3_3.25.2011.pdf

                    PIXIS XO 1300B     PIXIS_XO_1300B_Rev_N1_3.21.2011.pdf

                    PIXIS XO 2KB          PIXIS-XO-2KB-rev_N2-03-13-14.pdf


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X-ray相机技术原理


依据接收X射线光子的方式,可以分为直接探测和间接探测两类:

1.直接探测

关于直接探测的相机,CCD直接暴露在X-ray 射线光子中,相机能够更加有效的直接吸收(探测到)这些光子。依据X射线能量的范围,这些相机通常使用背照式无抗反射镀膜的CCD,或者是(背)前照深耗尽CCD。相机在< 30 eV to ~ 10 keV< 30 eV to ~ 20 keV~ 4 keV to ~ 20 keV~ 10eV to ~ 30 keV~ 5eV to ~ 30 keV/VUV等不同的X射线范围有不同的产品相对应。

10.1 X-ray 相机原理.png

2.间接探测

关于间接探测的相机,入射的 X射线被磷屏上的晶体或者多晶体所吸收,从磷屏上所激发的可见光通过光纤锥传到背照式或者前照式的CCD上。进而采用无镜头设计,通过磷屏对X射线进行间接成像。1:1的光纤比例保证了37lp/mm (2048F/B)或38lp/mm(1024F/B)的分辨率。而光纤延伸至真空腔外的设计也使用户在更换磷屏时有了更大的灵活度,同时也保证了相机的高分辨率。GdOS:Tb 磷屏尤其适用于8kev 和17kev能量的X摄像。相机在~ 4 keV to ~ 20 keV有相对应的产品。

10.2 X-ray 相机原理.png

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