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PI-MTE X-Ray相机系列

PI公司最小的科研级、高灵敏度、热电冷却PI-MTE相机,整个系统专为-50℃真空室内运行而设计,采用带抗反射镀膜,背照式CCD芯片。可直接探测超低能量软X射线(<9keV), 并提供16位的动态范围。该热电制冷特殊设计了PCBs,在循环冷却水中进行热传递。该系统体积小,灵活的管道连接方便探测器在有限动检或者移动空间中的定位。PI-MTE3系列相机适用于真空环境中的4k x 4k大版面X射线相机,具有超低的噪声并且能够进行深度制冷,广泛应用于X射线及光谱测量领域。

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 全真空操作

 直接软X射线成像(<1.15eV to ~ 9 keV)

 带抗反射涂层的背照式CCD

 2048×2048以及 1340×1300、具有4k x 4k 较高分辨率可选

 高灵敏度,高动态范围

 X射线~10 eV to 30 KeV能量范围内具有较高的灵敏度

 相机包含电缆和冷却管,可以在100%的真空环境中运行工作

 16MHz的读出速度下,具有多个读出通道及较高的帧频

 具有较低的暗电流,适合长时间进行曝光积分



>>点此下载产品手册:

          PI-MTE1300B       PI-MTE1300B_Rev_N1_2.22.2011.pdf

          PI-MTE1300B       PI-MTE2048B_Rev_N1_2.22.2011.pdf

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X-ray相机技术原理


依据接收X射线光子的方式,可以分为直接探测和间接探测两类:

1.直接探测

关于直接探测的相机,CCD直接暴露在X-ray 射线光子中,相机能够更加有效的直接吸收(探测到)这些光子。依据X射线能量的范围,这些相机通常使用背照式无抗反射镀膜的CCD,或者是(背)前照深耗尽CCD。相机在< 30 eV to ~ 10 keV< 30 eV to ~ 20 keV~ 4 keV to ~ 20 keV~ 10eV to ~ 30 keV~ 5eV to ~ 30 keV/VUV等不同的X射线范围有不同的产品相对应。

10.1 X-ray 相机原理.png

2.间接探测

关于间接探测的相机,入射的 X射线被磷屏上的晶体或者多晶体所吸收,从磷屏上所激发的可见光通过光纤锥传到背照式或者前照式的CCD上。进而采用无镜头设计,通过磷屏对X射线进行间接成像。1:1的光纤比例保证了37lp/mm (2048F/B)或38lp/mm(1024F/B)的分辨率。而光纤延伸至真空腔外的设计也使用户在更换磷屏时有了更大的灵活度,同时也保证了相机的高分辨率。GdOS:Tb 磷屏尤其适用于8kev 和17kev能量的X摄像。相机在~ 4 keV to ~ 20 keV有相对应的产品。

10.2 X-ray 相机原理.png

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