n 产品规格参数
Quad-RO 4320 | |
CCD芯片 | 前照式，科学级，ITO芯片 |
CCD格式 | 2048×2048分辨率 |
满阱 单像素 输出 | 650ke-(标准)；500ke-(最小) |
系统读出噪声 | 8e-rms(标准)-10e-rms(最小) @500kHz |
ADC速度/位 | 500kHz/16bits和1MHz/16bits |
暗电流@-45°C | 0.01e-/p/sec(标准)；0.075e-/p/sec(标准) |
最低制冷温度 TE制冷（+5°C） 1:1光纤；2.4:1锥 | -50°C（标准）；-40°C（保证） |
4通道电子 | 4个独立的A/D转换电路电子平衡到<1% |
非线性@1MHZ | ≤1% |
垂直转移速度 | 120μs |
※ 2084 x 2084分辨率，24x24μm大像元
※ 最高灵敏度70％QE @550nm
※ 2.4：1光纤比*提供更大的视野（120mmx120mm）
※ 低噪声电路可用于X射线成像应用
※ 16位双数字转换器
※ 灵活的ROI / binning允许更快的帧速率和灵敏度
※ 电子平衡4通道输出，任何强度级别的原始图像显示均匀
半导体制冷相机结构
半导体制冷又称热电(TE)制冷，或者温差电制冷，是从上世纪50年代发展起来的一种通过直流电制冷的新型的CCD制冷方式。主要的目的是减少CCD工作时时产生的暗电流。CCD温度每降低6-8℃暗电流减小一半，因此半导体制冷可以大大提高相机的信噪比。制冷相机的典型结构如下图：
半导体制冷的原理是：采用Peltier制冷片将真空仓中的芯片降温，Peltier制冷片从真空仓中带出的热量需再通过风冷或水冷进行散热。根据使用Peltier制冷片级数以及CCD芯片尺寸和功耗的不同，可降至不同温度，如PIXIS系列的-70℃，Sophina系列的-90℃。
更多论文京ICP备2017928号 Processed in 0.112 second(s), 9 queries 法律声明
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