n 产品规格参数
OCAM2K | OCAM2S | |
数据位深 | 14bit | |
暗噪声在帧频2067fps,温度-45℃ | <0.01e-/pixel/frame | |
探测器运行温度 | -45℃ | |
650nm下峰值量子效率 | 95% | |
在1000增益从10e-到150 e-下线性度 | <3% | |
在1增益从15000e-到150000 e-下线性度 | <3% | |
在增益1,满阱电子 | 270000e- | 100000e- |
在增益1,帧频2067fps下平行CTE | >0.99995 N/A | |
在增益1,帧频2067fps下串行CTE | >0.99994 N/A | |
在感光区波峰到波谷的最大误差 | 0.7μm | |
光学距离从CCD成像面到前端窗口 | 3.33mm | |
CCD成像面与前端窗口的夹角 | <0.2° | |
最小的脉冲宽度 | <1μs | |
消光比 | >1000 N/A | |
快门分辨率 | <0.05μs |
n 可选的微透镜阵列探测器
微透镜阵列性能(标准化、定制化) | 参数 |
焦距(能达到最大)@633nm | 22mm |
亚孔径数量 | 20×20 N/A |
透镜形状 | 方形 |
透镜尺寸 | 288μm |
透镜光圈 | >286μm |
基地上透镜阵列的位置 | 中心 |
填充因子 | >98% |
※ 亚电子的读出噪声(EMCCD增益)
※ 相机链接全界面极低延迟43μs
※ 240×240像素(EMCCD工艺),24μm像元
※ 满足读出模式需求的定制化设计和满足
EMCCD技术特点
EMCCD(Electronic Multiplying Charge Coupled Device)是一块基于硅的半导体芯片,具有二维矩阵的光电传感器或像素。EMCCD技术,有时也被称作“片上增益”技术,是一种全新的微弱光信号增强探测技术,而“片上增益”这一功用的实现就是在移位寄存器的后面加了增益寄存器。该寄存器可以使信号在读出噪声加入前就被倍增到一定的程度(1000x),使放大器的读出噪声并不能影响信号的质量,或者说减小对信号的影响
EMCCD工作模式分为几个步骤:
1. 在积分周期内,成像区将光子转化成电荷
2. 成像区电荷转移到读出寄存器
3. 读出寄存器电荷转移到倍增寄存器,并在其中使电子倍增
4. 倍增后的电荷通过低噪声读出放大器转换成电压输出
电子在下方的读出寄存器中通过碰撞电离进行放大,通过调整电压,可以精准的控制放大倍
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