NIRvana科研级深度制冷相机

※ 谱宽响应 0.9µm 至 1.7 µm

※ 结合真空技术，可以将温度降低至-85ºC，进一步减少暗电流噪声

※ 高速成像可达110 fps

※ 高速GigE数据接口

※ 多种成像和光谱接口

※ 强大的 LightField 64位操作平台

＞＞点此下载产品手册：

                 NIRvana-640LN系列            NIRvana-640LN-P1_1-8-23-16.pdf

                 NIRvana-640系列                NIRvana_640_rev_P1-7-7-16.pdf

                 NIRvana-640ST系列            NIRvana-640ST-RevP1-7-7-16.pdf

※ 半导体失效分析

※ 小动物成像

※ 单层纳米管荧光

※ 光致发光，太阳观测

※ 单氧分子成像/光谱

InGaAs 阵列探测器原理

InGaAs是一种III-V复合半导体材料，在NIR/SWIR波段提供了优秀的光电转换灵敏度，通过改变InGaAs的掺杂浓度改变其对不同波段的光谱响应灵敏度，从而使光谱响应特性变化，因此可根据客户实验的具体需求定做最佳的光谱响应效率曲线。如图1。

InGaAs 阵列探测器由二维光电材料组成，包括磷化铟(InP)基底、InGaAs吸收层(感光层)和超薄InP电极，电极是将铟凸点焊接到前置放大和读出电路（ROIC）上。 如图2。

图2  PI NIRvana：640 *相机的二维640 x 512阵列与低噪声读出电路(ROIC)

在InGaAs阵列探测器中，二维阵列感光层检测入射光，然后产生并收集光电子；ROIC模块收集电子计数并转换为电压，并将得到的电压信号传输到芯片外的电子设备。 InGaAs阵列探测器采用背照式设计来提高量子效率（QE），如图3。

图1  InGaAs在近红外波段光谱响应效率曲线图                                                                        图3 量子效率图